Кристаллы пошли в рост

Достижение технологического суверенитета в области микроэлектроники напрямую зависит от импортозамещения оборудования для создания кристаллов. Такие установки производят лишь несколько стран в мире, но поставки в Россию невозможны из-за режима санкционных ограничений. ГК «Элемент» — претендент на премию «Компания будущего — 2024» в номинации «Технологический суверенитет» — создала отечественную эпитаксиальную установку по выращивания кристаллов для нужд отечественной микроэлектроники.  

Эпитаксия — процесс выращивания на поверхности пластины кристаллического слоя материала, в данном случае нитрида галлия (GaN), самого эффективного полупроводника для изделий силовой электроники. По сравнению с аналогичными структурами на основе других материалов транзисторы на основе нитрида галлия способны работать с более высокими токами и напряжениями, сохраняя свои характеристики в условиях более высоких температур.

Устройства на базе нитрид-галлиевых транзисторов применяются в автомобильном производстве, промышленной электронике, электротранспорте, бытовой технике, телекоммуникационном оборудовании.

Работы по созданию установки заняли три года. Разработчиками выступили предприятия АО «Нанотроника» и АО «НИИТМ», входящие в ГК «Элемент». Сегодня опытные образцы успешно протестированы, на 2025 год запланирован запуск серийного производства. Это позволит обеспечить полную локализацию производства высокомощных компонентов силовой электроники на основе нитрида галлия в России.

В результате разработанная ГК «Элемент» установка не только исключит зависимость российского рынка от зарубежных поставок, но и позволит России войти в число стран, способных создавать и поставлять подобное оборудование на мировой рынок.